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    Investigadores de la Universidad Nacional de Ciencia y Tecnología de Rusia (MISiS) han inventado el semiconductor más fino del mundo, informa el diario Izvestia.

    El grupo de investigadores, dirigido por el profesor Dmitri Golberg, integraba también a científicos del Instituto Nacional de Ciencias de los Materiales (Japón), la Universidad Beijing Jiaotong (China) y la Universidad de Tecnología de Queensland (Australia).

    Los especialistas lograron crear con éxito un material basado en óxido de boro parcialmente oxidado de una sola molécula de ancho —de dos dimensiones—. Los resultados del estudio fueron publicados en la revista científica Advanced Materials.

    Un investigador del Instituto de Física Bioquímica de la Academia Rusa de Ciencias, Leonid Chernozatonski, ha confirmado al medio que el hallazgo de los científicos rusos tiene una importancia global. Sin embargo, destacó que aún falta para que estos superconductores puedan producirse a escala industrial.

    Uno de los rasgos más importantes del nuevo semiconductor es que aplicando diferentes cantidades de oxígeno a diferentes partes del nitruro de boro es posible controlar su conductividad.

    "Nuestro descubrimiento hará un uso activo de este material en los ámbitos científico y tecnológico, como la energía fotovoltaica, la optoelectrónica o el almacenamiento de energía", expone uno de los coautores de la investigación, el científico de MISiS Pável Sorokin.

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    Los semiconductores son la base de la electrónica moderna y varios estudios tratan de avanzar en este campo y hacerlos cada vez más pequeños. La meta es conseguir crear nanoprocesadores, que están llamados a sustituir a los microprocesadores actuales. Este avance permitirá crear equipos electrónicos minúsculos y ultraligeros.

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    Made in Russia, semiconductores, inventos, física, Universidad Nacional de Ciencia y Tecnología de Moscú (MISiS), Rusia
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