Cuando se fabrican diferentes dispositivos nanoelectrónicos el grafeno se cubre con una capa polimérica que se quita después. Los restos de la capa polimérica "ensucian" el grafeno, al reducir su movilidad de los portadores de carga. Varios métodos de tratamiento (el recocido térmico, la limpieza por plasma, los disolventes químicos) permiten eliminar los restos del polímero, pero al mismo tiempo empeoran la calidad del grafeno. Por ejemplo, en uno de los métodos de limpieza difundidos se usa el ozono, que es altamente reactivo. Bajos su acción, se destruyen no sólo los restos poliméricos, sino que en el grafeno aparecen defectos que empeoran sus características.
Se invitó a los científicos de Grecia, Francia y Suecia a continuar investigando este fenómeno. Con el uso de la modelación digital, los expertos lograron descubrir las causas de la resistencia aumentada del grafeno sobre el sustrato de carburo de silicio a la acción de radicales agresivos del oxígeno. Se descubrió que la resistencia anómala se debe a una baja rugosidad del grafeno epitexial sobre el sustrato de carburo de silicio (SiC) (la epitaxia se refiere a la deposición de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino).
"Resultó que el grafeno rugoso tradicional es más vulnerable debido a la presencia de áreas convexas. Estas áreas demuestran una mayor actividad química para la formación de grupos epóxidos que destruyen su integridad", dijo a RIA Novosti un colaborador del Departamento de Física de Medios Condensados del Instituto de Nanotecnologías en la Electrónica, Espintrónica y Fotónica de la Universidad Nacional de Investigaciones Nucleares "MEPhI" de Rusia, Konstantín Katin.
El descubrimiento de los científicos dará inicio al desarrollo de una tecnología prometedora de grafeno industrial de alta calidad con características electrónicas estables.
