Los colaboradores del Departamento de Física del Estado Sólido y Nanosistemas del Instituto de Tecnologías Láser y del Plasma de la Universidad Nacional de Investigaciones Nucleares (MEPhI) de Rusia en colaboración con especialistas del Instituto de Física del Estado Sólido de la Academia de Ciencias de Rusia y del Instituto de Problemas Tecnológicos de la Microelectrónica y de Materiales de Alta Pureza de la Academia de Ciencias de Rusia ofrecieron nuevos materiales en los que podría realizarse el comportamiento bipolar de la conmutación resistiva.
En base a estos materiales se podría desarrollar un ordenador con memristores (resistencias de memoria) que no solo guardan sino también procesan la información de modo similar a las neuronas del cerebro humano. Los resultados se publicaron en la revista Materials Letters.
Este fenómeno está investigándose hoy en todo el mundo tanto en la ciencia básica como en la aplicada. El comportamiento bipolar de la conmutación resistiva puede usarse para crear células de memoria biterminal no volátil, así como el memristor (el cuarto componente fundamental de la electrónica). Los memristores pueden pasar a ser el fundamento del nuevo enfoque hacia el procesamiento de la información: la llamada computación neuromórfica.
El comportamiento de la conmutación resistiva consiste en que bajo la influencia del campo eléctrico externo la conductividad del material puede realizar un cambio de varios órdenes de magnitud. Así las cosas, se realizan dos estados metaestables: de alta resistencia y de baja resistencia. Si el carácter de conmutación depende de la dirección del campo eléctrico este comportamiento se llama bipolar. El propio mecanismo físico de la conmutación depende del tipo del material: pueden formarse canales conductores debido a la migración de iones metálicos, diodos Schottky, transiciones fásicas de un metal a un dieléctrico, etc.
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En la MEPhI están buscando nuevos materiales en que se podría realizar el comportamiento bipolar de la conmutación resistiva. Anteriormente, se mostró que este fenómeno se observa en sistemas con fuertes correlaciones entre los electrones, por ejemplo, los materiales de gran resistencia magnética, así como superconductores de alta temperatura.
"La novedad de nuestro trabajo consiste en el uso del método litográfico que permite desarrollar la tecnología de disminución de elementos de la memoria resistiva", destacó el colaborador del Departamento de Física del Estado Sólido y Nanosistemas de la MEPhI, Andréi Ivanov.